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Si4396DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
1
0.1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
I D = 10 A
T A = 25 °C
T A = 125 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
2
4
6
8
10
1
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
200
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
10 -1
160
10 -2
10 -3
30 V
20 V
120
80
10 -4
10 -5
10 -6
40
0
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
T J - J u nction Temperat u re (°C)
Reverse Current (Schottky)
100
Limited b y R DS(on) *
10
1
1 ms
10 ms
100 ms
1s
Time (s)
Junction-to-Ambient
0.1
10 s
DC
T A = 25 °C
Single P u lse
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V DS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area
www.vishay.com
4
Document Number: 74252
S09-0392-Rev. B, 09-Mar-09
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